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IEDM 2022会议上，Intel披露了三个方面的技术突破：
1、下一代3D封装准单芯片
基于混合键合(hybrid bonding)，将集成密度和性能再提升10倍。同时间距缩小到3微米，使得多芯片互连密度和带宽媲美如今的单芯片SoC。

2、超薄2D材料在单芯片内集成更多晶体管
使用厚度仅仅3个原子的2D通道材料，Intel展示了GAA堆栈纳米片，在双栅极结构上，在室温环境、低漏电率下，达成了非常理想的晶体管开关速度。Intel第一次深入揭示了2D材料的电接触拓扑，可实现更高性能、更有弹性的晶体管通道。

3、高性能计算能效、内存新突破
Intel研发了可垂直堆叠在晶体管之上的全新内存，并首次展示了全新的堆叠铁电电容，性能媲美传统铁电沟道电容，可用于在逻辑芯片上打造FeRAM。
现在Intel正在打造300毫米直径的硅上氮化镓晶圆，比标准的氮化镓提升20倍。同事，Intel在超高能效方面也取得了新的突破，尤其是晶体管在断电后也能保存数据，三道障碍已经突破两道，很快就能达成在室温下可靠运行。

Intel制造工艺路线图

Intel封装技术路线图